l’occasion du symposium IEEE/JSAP VLSI 2026, Samsung a dvoil une feuille de route particulirement ambitieuse pour sa mmoire NAND Flash. L’objectif est clair : continuer faire grimper la densit de stockage alors que les besoins explosent dans les domaines de l’intelligence artificielle, du cloud computing et des centres de donnes.
Selon les informations prsentes par la marque, les futures gnrations de NAND devraient atteindre environ 420 couches d’ici 2029, avant de dpasser les 560 couches l’horizon 2030. Une volution logique pour une industrie qui mise dsormais presque exclusivement sur l’empilement vertical des cellules mmoire afin d’augmenter les capacits de stockage.
Vers une NAND quivalente 1000 couches
Mais Samsung regarde dj bien plus loin. Aprs 2030, le constructeur envisage des solutions affichant une densit quivalente 900 voire 1000 couches. Toutefois, il ne s’agira probablement pas d’un unique empilement gant. Pour contourner les difficults de fabrication, la socit compte s’appuyer sur une technologie baptise Cell Multi-Bonding (CMB).
Le principe consiste assembler plusieurs structures NAND avances au sein d’un mme botier. Samsung voque notamment l’association de deux matrices d’environ 450 couches chacune. Une fois combines, elles offriraient une densit proche de celle d’une NAND 1000 couches tout en limitant les contraintes de production lies des empilements toujours plus hauts.
Des SSD M.2 de 32 To sans changer de format
L’un des bnfices les plus impressionnants de cette approche concerne directement la capacit des SSD. Samsung estime que ces futures gnrations pourraient multiplier par quatre la densit de stockage actuelle. Concrtement, un SSD M.2 QLC de 8 To pourrait alors voluer vers des capacits atteignant 32 To, sans ncessiter un format physique plus imposant.
Une telle progression profiterait autant au march grand public qu’aux serveurs, aux infrastructures cloud ou encore aux systmes d’intelligence artificielle qui consomment toujours plus de donnes.
Des dfis techniques encore nombreux
videmment, parvenir de telles densits ne sera pas simple. Samsung reconnat que plusieurs obstacles techniques doivent encore tre surmonts. Parmi eux, la dformation des wafers devient un problme majeur lorsque les structures NAND gagnent en hauteur. L’alignement prcis de centaines de couches successives reprsente galement un dfi critique pour maintenir les rendements de production et la fiabilit des puces.
Pour y rpondre, le constructeur dveloppe notamment de nouveaux systmes de maintien des wafers, appels Upper Chuck Design, ainsi que des technologies avances de correction d’alignement entre les couches.
Ces SSD de nouvelle gnration ne verront pas le jour avant plusieurs annes, mais cette feuille de route montre que la NAND Flash est encore loin d’avoir atteint ses limites. Et terme, voir dbarquer des SSD M.2 de 32 To dans nos machines pourrait devenir une ralit bien plus rapidement qu’on ne l’imagine.