Chez Samsung, on continue de repousser les limites de la mmoire NAND. Aprs avoir dj dpass les 400 couches avec ses dernires gnrations de V-NAND, le constructeur travaillerait dsormais sur une solution V-NAND en 900 couches…
Et forcment, empiler autant de couches sur une seule tranche de silicium commence devenir un vritable cauchemar technique. Du coup, Samsung change progressivement dapproche et mise maintenant sur une technologie de Hybrid Bonding, ou liaison hybride entre plusieurs wafers.
Deux piles de 450 couches fusionnes ensemble
Selon les informations relayes par ET News, Samsung utiliserait une technologie propritaire baptise Cell Multi-Bonding (CMB). Ainsi, au lieu de fabriquer une seule structure gante de 900 couches, la marque produit deux blocs indpendants de 450 couches, puis les fusionne ensemble pour crer une seule mmoire NAND unifie.
Cette technique permet dviter certains problmes normes lis aux structures ultra paisses. Car plus on ajoute de couches, plus les difficults explosent : gestion thermique, consommation, alignement microscopique, rendement de production ou encore dformation physique des wafers.
Samsung aurait d’aillers travaill sur de nouveaux systmes de correction dalignement et des mcanismes ultra prcis pour viter le phnomne de wafer warping, autrement dit la lgre dformation du silicium pendant la fabrication. Parce qu ce niveau-l, un minuscule dfaut dalignement peut suffire ruiner compltement une puce.
Des SSD toujours plus gros et toujours plus denses
Avec cette approche, Samsung veut continuer augmenter drastiquement la densit de stockage sans exploser les dimensions physiques des dies NAND. La marque aurait galement revu certaines structures internes, notamment les bitlines et wordlines, afin de limiter la consommation et garder des tempratures matrises.
Le premier objectif vise les SSD Enterprise et les infrastructures IA hyperscale, des secteurs o la demande en capacit de stockage devient totalement dlirante. Mais terme, ces avances finiront aussi dans nos SSD grand public, avec des capacits toujours plus leves dans des formats identiques.
La course aux couches devient compltement dingue
Actuellement, cest SK hynix qui possde la NAND grand public avec le plus gros nombre de couches en production de masse, avec sa mmoire 321 couches 4D NAND. Mais Samsung semble bien dcid reprendre le leadership technologique.
Attention toutefois, cette NAND 900 couches narrivera pas demain matin dans les SSD du commerce. Samsung doit dj lancer la production de masse de sa 10me gnration de V-NAND dpassant les 400 couches avant de passer cette architecture hybride beaucoup plus complexe.